Langmuir 등온 흡착식. Langmuir isotherm

Langmuir 등온 흡착식. Langmuir isotherm

 

 

Langmuir 등온 흡착식을 유도하기 위한 가정으로 옳지 않은 것은?

① 한정된 표면만이 흡착에 이용된다.

② 표면에 흡착된 용질물질은 그 두께가 분자 한 개 정도의 두께이다.

③ 흡착은 비가역적이다.

④ 평형조건이 이루어졌다.

 

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Langmuir 흡착 등온식은

일정 온도에서 흡착질과 흡착제가

평형조건이 이루어졌다고 가정하여 유도한 식으로

단분자층 흡착이라고 하며, 균일한 표면을 가정한다.

 

 

 

Langmuir 흡착 등온식은

고체 표면에 흡착점이 존재하여

그 흡착점에 기체가 흡착하는 경우의 흡착량에 관한 식이다.

 

고체 표면에는 기체 분자를 잡아서 흡착시키기에 충분한

분자적 인력을 갖는 점인 흡착점이 일정하게 분포하고 있는데,

그 흡착점에는 오로지 1개 분자만 흡착이 가능하며

흡착된 분자는 고정되어 있다는 가정을 필요로 한다.

 

흡착점에 닿은 기체 분자에서 일정한 비율의 분자만이 그 표면에 붙잡히고

그중에서도 일정한 수의 분자가 끊임없이 다시 기체상으로 되돌아가는데,

이때 그 표면에 흡착된 분자가 기껏해야 1분자층을 넘지 못한다는 가정이다.

 

이 점에서 화학적 흡착에서만

Langmuir 흡착 등온식이 대부분 성립된다는 점을 알 수 있다.

 

또한 모든 흡착점의 에너지 상태는 동일하고,

흡착된 분자끼리는 상호작용이 없다는 점 또한 가정이다.

 

 

 

> 흡착제 표면에는 흡착 site가 균일하게 분포되어있다.

> 흡착은 비어있는 흡착점과 기체 분자간의 충돌에 의해서 이루어진다.

> 흡착된 분자 간 상호작용 없다.

> 모든 흡착점의 흡착에너지는 균일하다.

> 새로운 물질의 흡착에너지는 coverage에 영향을 받지 않는다.

> 단분자 흡착층 형성.

> 탈착은 흡착된 기체량에 비례한다.

> 평형상태에서 흡착속도와 탈착속도는 같다.

> 흡착속도 = 탈착속도 ---> 흡착은 가역적이다.

 

 

 

답: ③ 흡착은 비가역적이다.

 

 

 

 

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